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SIS438DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 16 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.690 | CNY33.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.690 (CNY7.5597) |
| 50+ | CNY5.560 (CNY6.2828) |
| 100+ | CNY4.420 (CNY4.9946) |
| 500+ | CNY3.110 (CNY3.5143) |
| 1500+ | CNY3.050 (CNY3.4465) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
27.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
9500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen III
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272