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SIS435DNT-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 30 A, 0.0054 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.420 (CNY8.3846) |
| 10+ | CNY5.270 (CNY5.9551) |
| 100+ | CNY4.070 (CNY4.5991) |
| 500+ | CNY3.260 (CNY3.6838) |
| 1000+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
| 5000+ | CNY2.660 (CNY3.0058) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY7.42 (CNY8.38 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
39W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.0054ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen III Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015