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SIS434DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY10.470 | CNY52.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY10.470 (CNY11.8311) |
| 50+ | CNY8.670 (CNY9.7971) |
| 100+ | CNY6.860 (CNY7.7518) |
| 500+ | CNY4.610 (CNY5.2093) |
| 1500+ | CNY4.520 (CNY5.1076) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIS434DN-T1-GE3复制
库存编号
复卷1852572RL
切割卷带1852572
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续35A
漏源接通状态电阻7600µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散3.8W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
SIS434DN-T1-GE3 是一款40VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于POL应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
7600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000164