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SIS415DNT-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.370 | CNY12.37 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.370 (CNY13.9781) |
| 10+ | CNY7.770 (CNY8.7801) |
| 100+ | CNY5.150 (CNY5.8195) |
| 500+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
| 1000+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
| 5000+ | CNY3.010 (CNY3.4013) |
品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
4000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen III
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001