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SIS412DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY4.010 (CNY4.5313) |
| 100+ | CNY2.610 (CNY2.9493) |
| 500+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 1000+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 5000+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
The SIS412DN-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
15.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.024ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000076