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SIS410DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.870 (CNY16.8031) |
| 10+ | CNY9.430 (CNY10.6559) |
| 100+ | CNY6.290 (CNY7.1077) |
| 500+ | CNY4.960 (CNY5.6048) |
| 1000+ | CNY4.150 (CNY4.6895) |
| 5000+ | CNY3.980 (CNY4.4974) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY14.87 (CNY16.80 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
4800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SIS410DN-T1-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000071