打印页面
SIRS5702DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 119 A, 7200 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
在此登记您的兴趣
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY35.140 | CNY175.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY35.140 (CNY39.7082) |
| 10+ | CNY22.970 (CNY25.9561) |
| 100+ | CNY17.960 (CNY20.2948) |
| 500+ | CNY15.310 (CNY17.3003) |
| 1000+ | CNY13.230 (CNY14.9499) |
| 5000+ | CNY12.970 (CNY14.6561) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIRS5702DP-T1-RE3
库存编号
复卷4349368RL
切割卷带4349368
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续119A
漏源接通状态电阻7200µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散245W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
119A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
245W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
7200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000013