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SIRS4302DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 478 A, 570 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY26.410 | CNY26.41 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY26.410 (CNY29.8433) |
| 10+ | CNY17.290 (CNY19.5377) |
| 100+ | CNY12.090 (CNY13.6617) |
| 500+ | CNY10.650 (CNY12.0345) |
| 1000+ | CNY10.580 (CNY11.9554) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
478A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
208W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
570µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074