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SIRA50DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 100 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY25.620 | CNY25.62 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY25.620 (CNY28.9506) |
| 10+ | CNY16.680 (CNY18.8484) |
| 100+ | CNY11.530 (CNY13.0289) |
| 500+ | CNY9.350 (CNY10.5655) |
| 1000+ | CNY8.390 (CNY9.4807) |
| 5000+ | CNY8.230 (CNY9.2999) |
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产品信息
- 制造商VISHAY制造商产品编号SIRA50DP-T1-RE3复制制造商标准货期100 周库存编号复卷2846631RL切割卷带2846631产品范围TrenchFET Gen IV技术数据表通道类型N通道漏源电压, Vds40V电流, Id 连续100A漏源接通状态电阻1000µohm晶体管封装类型PowerPAK SO晶体管安装表面安装Rds(on)测试电压10V阈值栅源电压最大值2.2V功率耗散100W针脚数8引脚工作温度最高值150°C产品范围TrenchFET Gen IV合规-湿气敏感性等级MSL 1 -无限制SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
- 通道类型
N通道
电流, Id 连续100A
晶体管封装类型PowerPAK SO
Rds(on)测试电压10V
功率耗散100W
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds40V
漏源接通状态电阻1000µohm
晶体管安装表面安装
阈值栅源电压最大值2.2V
针脚数8引脚
产品范围TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
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法律与环境
- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85412900US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.000148