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SIRA12DDP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.860 | CNY39.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 10+ | CNY5.610 (CNY6.3393) |
| 100+ | CNY3.500 (CNY3.955) |
| 500+ | CNY2.420 (CNY2.7346) |
| 1000+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
| 5000+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
81A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
38W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
SIRA12DDP-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001