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SIRA00DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY23.770 | CNY23.77 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY23.770 (CNY26.8601) |
| 10+ | CNY15.400 (CNY17.402) |
| 100+ | CNY10.680 (CNY12.0684) |
| 500+ | CNY8.920 (CNY10.0796) |
| 1000+ | CNY7.780 (CNY8.7914) |
| 5000+ | CNY7.630 (CNY8.6219) |
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产品概述
SIRA00DP-T1-GE3 是一款30VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于同步整流, O-ring, 高功率密度DC-DC, VRM和嵌入式DC-DC应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
1000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000157