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SIR876BDP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY11.280 | CNY56.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY11.280 (CNY12.7464) |
| 50+ | CNY9.490 (CNY10.7237) |
| 100+ | CNY7.700 (CNY8.701) |
| 500+ | CNY5.930 (CNY6.7009) |
| 1500+ | CNY5.820 (CNY6.5766) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR876BDP-T1-RE3
库存编号
复卷3765823RL
切割卷带3765823
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续51.4A
漏源接通状态电阻0.0108ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散71.4W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
N-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, power supplies and motor drive control.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
51.4A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
71.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0108ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001