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SIR870DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 60 A, 6000 µohm, SOIC, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.760 (CNY25.7188) |
| 10+ | CNY16.040 (CNY18.1252) |
| 100+ | CNY12.990 (CNY14.6787) |
| 500+ | CNY11.350 (CNY12.8255) |
| 1000+ | CNY10.770 (CNY12.1701) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY22.76 (CNY25.72 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
6000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005