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SIR826ADP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY27.120 (CNY30.6456) |
| 10+ | CNY17.670 (CNY19.9671) |
| 100+ | CNY12.350 (CNY13.9555) |
| 500+ | CNY10.370 (CNY11.7181) |
| 1000+ | CNY9.000 (CNY10.170) |
| 5000+ | CNY8.820 (CNY9.9666) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品概述
SIR826ADP-T1-GE3 是一款 80V N沟道TrenchFET®功率MOSFET。适用于初级侧开关, DC/AC逆变器应用, 也适用于同步整流电路。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
5500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012