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SIR680LDP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY17.570 | CNY87.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY17.570 (CNY19.8541) |
| 50+ | CNY15.200 (CNY17.176) |
| 100+ | CNY12.820 (CNY14.4866) |
| 500+ | CNY10.250 (CNY11.5825) |
| 1500+ | CNY10.050 (CNY11.3565) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR680LDP-T1-RE3
库存编号
复卷3581013RL
切割卷带3581013
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续130A
漏源接通状态电阻2800µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
130A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
2800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00025