打印页面
SIR622DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 51.6 A, 0.0177 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
18,598 有货
需要更多？
18598 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY18.200 | CNY18.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.200 (CNY20.566) |
| 10+ | CNY11.430 (CNY12.9159) |
| 100+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 500+ | CNY6.350 (CNY7.1755) |
| 1000+ | CNY5.340 (CNY6.0342) |
| 5000+ | CNY5.310 (CNY6.0003) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR622DP-T1-GE3
库存编号
复卷3470687RL
切割卷带3470687
产品范围ThunderFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续51.6A
漏源接通状态电阻0.0177ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围ThunderFET
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
51.6A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.0177ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
8引脚
产品范围
ThunderFET
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
SIR622DP-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454