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SIR610DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 35.4 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY22.570 | CNY22.57 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.570 (CNY25.5041) |
| 10+ | CNY14.590 (CNY16.4867) |
| 100+ | CNY10.000 (CNY11.300) |
| 500+ | CNY8.140 (CNY9.1982) |
| 1000+ | CNY7.240 (CNY8.1812) |
| 5000+ | CNY7.150 (CNY8.0795) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR610DP-T1-RE3
库存编号
复卷2747691RL
切割卷带2747691
产品范围ThunderFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续35.4A
漏源接通状态电阻0.0319ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围ThunderFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
产品概述
N-channel 200V (D-S) MOSFET suitable for use in fixed telecom, DC/DC converter, primary and secondary side switch, synchronous rectification, LED lighting, power supplies and Class D amplifier.
- ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35.4A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.0319ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
ThunderFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000178