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SIR582DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 116 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY15.220 | CNY76.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY15.220 (CNY17.1986) |
| 50+ | CNY12.800 (CNY14.464) |
| 100+ | CNY10.380 (CNY11.7294) |
| 500+ | CNY7.820 (CNY8.8366) |
| 1500+ | CNY7.670 (CNY8.6671) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
116A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
92.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
2800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001