打印页面
SIR5812DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 45.3 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
在此登记您的兴趣
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY9.610 | CNY48.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.610 (CNY10.8593) |
| 10+ | CNY6.080 (CNY6.8704) |
| 100+ | CNY4.030 (CNY4.5539) |
| 500+ | CNY3.150 (CNY3.5595) |
| 1000+ | CNY2.560 (CNY2.8928) |
| 5000+ | CNY2.510 (CNY2.8363) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR5812DP-T1-RE3
库存编号
复卷4349365RL
切割卷带4349365
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续45.3A
漏源接通状态电阻0.0135ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散50W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
45.3A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
50W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0135ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
SIR5812DP-T1-RE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000013