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SIR516DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY23.770 | CNY23.77 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY23.770 (CNY26.8601) |
| 10+ | CNY16.250 (CNY18.3625) |
| 100+ | CNY11.070 (CNY12.5091) |
| 500+ | CNY9.090 (CNY10.2717) |
| 1000+ | CNY8.110 (CNY9.1643) |
| 5000+ | CNY7.950 (CNY8.9835) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR516DP-T1-RE3
库存编号
复卷3817728RL
切割卷带3817728
产品范围TrenchFET Gen V
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续63.7A
漏源接通状态电阻8000µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散71.4W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen V
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
63.7A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
71.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536