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SIR516DP-T1-BE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.120 | CNY19.12 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.120 (CNY21.6056) |
| 10+ | CNY12.350 (CNY13.9555) |
| 100+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 500+ | CNY6.350 (CNY7.1755) |
| 1000+ | CNY6.230 (CNY7.0399) |
| 5000+ | CNY6.140 (CNY6.9382) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
63.7A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
71.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001