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SIR470DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 60 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 10+ | CNY17.560 (CNY19.8428) |
| 100+ | CNY12.860 (CNY14.5318) |
| 500+ | CNY10.470 (CNY11.8311) |
| 1000+ | CNY9.730 (CNY10.9949) |
| 5000+ | CNY9.540 (CNY10.7802) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR470DP-T1-GE3
库存编号2335403
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻2300µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
SIR470DP-T1-GE3 是一款40VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于次级侧同步整流和电源应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2300µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001