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SIR466DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, 表面安装
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| 10+ | CNY8.920 (CNY10.0796) |
| 100+ | CNY5.960 (CNY6.7348) |
| 500+ | CNY4.710 (CNY5.3223) |
| 1000+ | CNY3.780 (CNY4.2714) |
| 5000+ | CNY3.770 (CNY4.2601) |
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产品概述
SIR466DP-T1-GE3 是一款30VDS TrenchFET® N通道增强型功率MOSFET, 适用于笔记本电脑, 显卡, 服务器和DC-DC转换器应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
54W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIR466DP-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001