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SIR440DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 60 A, 1550 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 100+ | CNY10.560 (CNY11.9328) |
| 500+ | CNY8.550 (CNY9.6615) |
| 1000+ | CNY7.610 (CNY8.5993) |
| 5000+ | CNY7.460 (CNY8.4298) |
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产品概述
SIR440DP-T1-GE3 是一款20VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于电信, 大电流DC-DC和O-ring应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
1550µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIR440DP-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000235