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SIR422DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 500+ | CNY4.620 (CNY5.2206) |
| 1000+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
| 5000+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
包装规格：每个
最低: 1
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产品概述
SIR422DP-T1-GE3是一款40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET. 适用于同步整流和负载点转换器电路. N沟道MOSFET适用于开关应用, 具有大约1mΩ的导通电阻, 并且能够处理85A电流.
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
6600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272