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SIR404DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.950 | CNY20.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.950 (CNY23.6735) |
| 10+ | CNY13.570 (CNY15.3341) |
| 100+ | CNY9.380 (CNY10.5994) |
| 500+ | CNY7.590 (CNY8.5767) |
| 1000+ | CNY7.440 (CNY8.4072) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
1600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen III
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
SIR404DP-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001