打印页面
SIR401DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
3,599 有货
需要更多？
3,599 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.130 (CNY17.0969) |
| 10+ | CNY9.610 (CNY10.8593) |
| 100+ | CNY6.420 (CNY7.2546) |
| 500+ | CNY5.060 (CNY5.7178) |
| 1000+ | CNY4.060 (CNY4.5878) |
| 5000+ | CNY4.010 (CNY4.5313) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY15.13 (CNY17.10 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
SIR401DP-T1-GE3 是一款-20V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。适用于适配器和电池开关应用。P沟道MOSFET适用于开关应用, 1mΩ导通电阻, 可处理85A。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
39W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
3200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIR401DP-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272