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SIR106DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.490 | CNY20.49 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.490 (CNY23.1537) |
| 10+ | CNY13.260 (CNY14.9838) |
| 100+ | CNY9.070 (CNY10.2491) |
| 500+ | CNY7.250 (CNY8.1925) |
| 1000+ | CNY6.880 (CNY7.7744) |
| 5000+ | CNY6.510 (CNY7.3563) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR106DP-T1-RE3复制
库存编号
复卷2846623RL
切割卷带2846623
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续65.8A
漏源接通状态电阻8000µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.4V
功率耗散83.3W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
SIR106DP-T1-RE3 is a N-Channel 100 V (D-S) MOSFET. Application includes synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, OR-ing, power supplies, motor drive control, battery and load switch.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
- 100 % Rg and UIS tested
- 100V minimum drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250μA)
- 0.0080 ohm maximum drain-source on-state resistance (VGS =10V, ID = 15A)
- 0.0090 ohm maximum drain-source on-state resistance (VGS = 7.5V, ID = 10A)
- 32nC typical total gate charge (VDS = 50V, VGS = 7.5V, ID = 15A)
- 65.8A maximum continuous source-drain diode current (TC = 25°C)
- PowerPAK SO-8 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
65.8A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIR106DP-T1-RE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074