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SIJH600E-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 373 A, 920 µohm, PowerPAK, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 1 | CNY61.760 | CNY61.76 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY61.760 (CNY69.7888) |
| 10+ | CNY41.960 (CNY47.4148) |
| 100+ | CNY30.700 (CNY34.691) |
| 500+ | CNY29.780 (CNY33.6514) |
| 1000+ | CNY28.260 (CNY31.9338) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIJH600E-T1-GE3复制
制造商标准货期42 周
库存编号
复卷3782484RL
切割卷带3782484
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续373A
漏源接通状态电阻920µohm
晶体管封装类型PowerPAK
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散333W
针脚数5引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
373A
晶体管封装类型
PowerPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
333W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
920µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
5引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001