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SIHU2N80AE-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 2.9 A, 2.9 ohm, TO-251 (IPAK), 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.800 (CNY15.594) |
| 10+ | CNY8.620 (CNY9.7406) |
| 100+ | CNY5.620 (CNY6.3506) |
| 500+ | CNY4.330 (CNY4.8929) |
| 1000+ | CNY3.560 (CNY4.0228) |
| 5000+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY13.80 (CNY15.59 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.9A
晶体管封装类型
TO-251 (IPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
62.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
2.9ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
E
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001