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SIHP22N60E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220AB, 通孔
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| 10+ | CNY21.790 (CNY24.6227) |
| 100+ | CNY18.660 (CNY21.0858) |
| 500+ | CNY16.610 (CNY18.7693) |
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包装规格：每个
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多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIHP22N60E-GE3
库存编号2364084
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续21A
漏源接通状态电阻0.18ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散227W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
- E Series Power MOSFET
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low input capacitance (Ciss
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
- Used in SMPS, PFC and lighting
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
21A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
227W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.18ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002873