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SIHP18N50C-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, 通孔
已停产
SIHP18N50C-E3 的替代之选
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产品概述
The SIHP18N50C-E3 is a 500VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- 100% Avalanche tested
- High peak current capability
- dV/dt Ruggedness
- Improved trr/Qrr
- Improved gate charge
- High power dissipations capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
223W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2019)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.27ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00195