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SIHG47N60E-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 47 A, 0.064 ohm, TO-247AC, 通孔
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产品概述
The SIHG47N60E-E3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge
- Avalanche energy rated
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
47A
晶体管封装类型
TO-247AC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
357W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.064ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
E
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIHG47N60E-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006