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SIHG20N50C-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, 通孔
已停产
SIHG20N50C-E3 的替代之选
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产品概述
SIHG20N50C-E3是一款500V N沟道功率MOSFET，具有高功率耗散和高峰值电流能力。
- 无卤素，符合IEC 61249-2-21标准
- 低品质因数Ron X Qg
- 100%雪崩额定值
- dV/dt耐用性
- 改善Trr/Qrr
- 改进栅极电荷
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
292W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.27ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00542