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SIHG125N65E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 27 A, 0.12 ohm, TO-247AC, 通孔
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY62.390 | CNY62.39 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY62.390 (CNY70.5007) |
| 10+ | CNY32.210 (CNY36.3973) |
| 100+ | CNY31.570 (CNY35.6741) |
| 500+ | CNY30.930 (CNY34.9509) |
| 1000+ | CNY30.280 (CNY34.2164) |
| 5000+ | CNY29.640 (CNY33.4932) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
27A
晶体管封装类型
TO-247AC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
208W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
E Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.001