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SIHG039N60E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 63 A, 0.039 ohm, TO-247AC, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY88.180 (CNY99.6434) |
| 5+ | CNY71.120 (CNY80.3656) |
| 10+ | CNY54.060 (CNY61.0878) |
| 50+ | CNY53.040 (CNY59.9352) |
| 100+ | CNY52.020 (CNY58.7826) |
| 250+ | CNY50.980 (CNY57.6074) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY88.18 (CNY99.64 含税)
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
63A
晶体管封装类型
TO-247AC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
357W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.039ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
E
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIHG039N60E-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001