打印页面
SIHD7N60E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
3,197 有货
需要更多？
3197 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.880 (CNY23.5944) |
| 10+ | CNY13.570 (CNY15.3341) |
| 100+ | CNY9.830 (CNY11.1079) |
| 500+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
| 1000+ | CNY7.310 (CNY8.2603) |
| 5000+ | CNY7.170 (CNY8.1021) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY20.88 (CNY23.59 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
SIHD7N60E-GE3 是一款650V N沟道增强型功率MOSFET。适用于SMPS, 服务器, 电信和PFC电源, 太阳能, 电机驱动器, 感应加热, 环保能源和焊接应用。
- 低品质因数 (FOM)RON x Qg
- 低输入电容 (CISS)
- 低开关与传导损耗
- 超低栅极电荷
- 雪崩合规
- 无卤素
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
E
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIHD7N60E-GE3 的替代之选
找到 4 件产品
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002