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SIHB33N60E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY24.530 (CNY27.7189) |
| 100+ | CNY24.040 (CNY27.1652) |
| 500+ | CNY23.550 (CNY26.6115) |
| 1000+ | CNY23.060 (CNY26.0578) |
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多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIHB33N60E-GE3
库存编号
EACH 2364072RL
EACH 2364072
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续33A
漏源接通状态电阻0.099ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散278W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
SIHB33N60E-GE3 是一款650V N沟道增强型功率MOSFET。适用于SMPS, 服务器, 电信和PFC电源, 太阳能, 电机驱动器, 感应加热, 环保能源和焊接应用。
- 低品质因数 (FOM)RON x Qg
- 低输入电容 (CISS)
- 低开关与传导损耗
- 超低栅极电荷
- 雪崩合规
- 无卤素
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
278W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.099ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001451