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SIHB21N80AE-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 17.4 A, 0.235 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.510 (CNY10.7463) |
| 10+ | CNY6.290 (CNY7.1077) |
| 100+ | CNY4.310 (CNY4.8703) |
| 500+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
| 1000+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
| 5000+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY47.55 (CNY53.73 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17.4A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
179W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.235ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
E Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.001