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SIHB075N65E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY56.730 (CNY64.1049) |
| 10+ | CNY37.160 (CNY41.9908) |
| 100+ | CNY27.420 (CNY30.9846) |
| 500+ | CNY24.370 (CNY27.5381) |
| 1000+ | CNY21.790 (CNY24.6227) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY56.73 (CNY64.10 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.079ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
E Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001