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SIHA5N80AE-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 3 A, 1.35 ohm, TO-220FP, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.540 (CNY17.5602) |
| 10+ | CNY7.560 (CNY8.5428) |
| 100+ | CNY6.400 (CNY7.232) |
| 500+ | CNY5.190 (CNY5.8647) |
| 1000+ | CNY4.410 (CNY4.9833) |
| 5000+ | CNY4.330 (CNY4.8929) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
29W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
1.35ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
E
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
SIHA5N80AE-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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产品合规证书
重量（千克）：.001