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SIEH4800EW-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 381 A, 1150 µohm, PowerPAK BWL, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY36.280 | CNY181.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY36.280 (CNY40.9964) |
| 50+ | CNY31.260 (CNY35.3238) |
| 100+ | CNY26.240 (CNY29.6512) |
| 500+ | CNY24.360 (CNY27.5268) |
| 1000+ | CNY23.460 (CNY26.5098) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
381A
晶体管封装类型
PowerPAK BWL
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
417W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
1150µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001