打印页面
SIDR680ADP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 137 A, 2880 µohm, PowerPAK SO-DC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY19.350 | CNY96.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY19.350 (CNY21.8655) |
| 50+ | CNY17.260 (CNY19.5038) |
| 100+ | CNY15.170 (CNY17.1421) |
| 500+ | CNY11.210 (CNY12.6673) |
| 1500+ | CNY10.990 (CNY12.4187) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIDR680ADP-T1-RE3
库存编号
复卷3462758RL
切割卷带3462758
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续137A
漏源接通状态电阻2880µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-DC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散125W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
137A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-DC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
2880µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015014