打印页面
SIDR668ADP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 104 A, 4800 µohm, PowerPAK SO-DC, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,480 有货
需要更多？
2480 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY29.480 (CNY33.3124) |
| 10+ | CNY19.200 (CNY21.696) |
| 100+ | CNY13.870 (CNY15.6731) |
| 500+ | CNY11.890 (CNY13.4357) |
| 1000+ | CNY11.430 (CNY12.9159) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY29.48 (CNY33.31 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIDR668ADP-T1-RE3
库存编号3350740
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续104A
漏源接通状态电阻4800µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-DC
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散125W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
104A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-DC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
4800µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001