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SIDR610EP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO-DC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY34.010 | CNY34.01 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY34.010 (CNY38.4313) |
| 10+ | CNY22.590 (CNY25.5267) |
| 100+ | CNY16.000 (CNY18.080) |
| 500+ | CNY14.420 (CNY16.2946) |
| 1000+ | CNY14.130 (CNY15.9669) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIDR610EP-T1-RE3复制
库存编号
复卷4014706RL
切割卷带4014706
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续39.6A
漏源接通状态电阻0.0319ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-DC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散150W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
39.6A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-DC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.0319ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363