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SIDR578EP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 78 A, 8800 µohm, PowerPAK SO-DC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY32.140 | CNY32.14 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY32.140 (CNY36.3182) |
| 10+ | CNY21.180 (CNY23.9334) |
| 100+ | CNY14.940 (CNY16.8822) |
| 500+ | CNY13.640 (CNY15.4132) |
| 1000+ | CNY12.880 (CNY14.5544) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIDR578EP-T1-RE3
库存编号
复卷4014705RL
切割卷带4014705
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续78A
漏源接通状态电阻8800µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-DC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散150W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen V Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
78A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-DC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
8800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363