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SIDR510EP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 148 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY34.830 | CNY34.83 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY34.830 (CNY39.3579) |
| 10+ | CNY22.910 (CNY25.8883) |
| 100+ | CNY16.170 (CNY18.2721) |
| 500+ | CNY14.530 (CNY16.4189) |
| 1000+ | CNY13.750 (CNY15.5375) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIDR510EP-T1-RE3
库存编号
复卷3954178RL
切割卷带3954178
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续148A
漏源接通状态电阻3600µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散150W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen V Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
148A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
3600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001