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SIDR5102EP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 126 A, 4100 µohm, PowerPAK SO-DC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY32.140 | CNY32.14 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY32.140 (CNY36.3182) |
| 10+ | CNY21.110 (CNY23.8543) |
| 100+ | CNY14.860 (CNY16.7918) |
| 500+ | CNY12.420 (CNY14.0346) |
| 1000+ | CNY12.180 (CNY13.7634) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
126A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-DC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
4100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363