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SIDR104ADP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY25.740 | CNY25.74 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY25.740 (CNY29.0862) |
| 10+ | CNY16.230 (CNY18.3399) |
| 100+ | CNY12.120 (CNY13.6956) |
| 500+ | CNY10.520 (CNY11.8876) |
| 1000+ | CNY10.060 (CNY11.3678) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIDR104ADP-T1-RE3
库存编号
复卷3397319RL
切割卷带3397319
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续81A
漏源接通状态电阻6100µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散100W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
81A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
6100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001