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SIA910EDJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA910EDJ-T1-GE3
库存编号2335391
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.023ohm
漏源导通电阻P沟道0.023ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道7.8W
耗散功率P沟道7.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
- Dual N-channel 12V TrenchFET® power MOSFET
- Low on-resistance
- ESD protection 2400V typical
- Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package
- Used in load switch and high frequency DC/DC converter
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
7.8W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.023ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
耗散功率N沟道
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001